其实，早在6月20日，工信部就发布了《首台重大技术装备推广应用指南（2024年版）》。在集成电路生产设备一栏中，就公布了氪氟化物光刻机和氩氟化物光刻机。随后9月9日，工信部再次发布通知：
氪氟化物光刻机其实就是老式的KrF光刻机，采用248nm光源，分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm；氩氟化物光刻机就是采用193nm光源的ArF光刻机（又称DUV光刻机），但公开的还是干式DUV光刻机，而非更为先进的浸没式DUV光刻机（又称ArFi光刻机）。
根据官方披露的参数，这台DUV光刻机的分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比上海微电子之前的光刻机（分辨率为90nm）有所提升，但依然不足以生产28nm芯片，更别说8nm、7nm芯片了。不少网友直接把套刻精度和光刻制程工艺节点级别混淆了。
光刻的精度主要取决于光刻机的分辨率，如果分辨率为65nm，那么一次曝光可以达到的工艺节点大约在65nm左右。
套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度。众所周知，芯片制造过程其实就是将很多层光刻图案一层层地实现和堆叠起来。一层图案光刻完成后，还需要在其上继续进行下一层图案的光刻，而两层之间需要精确对准。这种对准的精度就是套刻精度，并不是指可以制造的芯片的工艺节点。
那么，这个65nm光刻分辨率和套刻精度≤8nm，能达到多少纳米工艺水平呢？目前对应什么级别的光刻机呢？大家可以对比一下下面ASML光刻机的参数：
ASML在2015年第二季度出货的XT:1460K，光刻分辨率≤65nm，但套刻精度较高（<5nm）。虽然这款国产DUV光刻机的分辨率也是≤65nm，而且可以生产65nm工艺甚至更先进的芯片，但是国产光刻机的套刻精度误差较大，这也会导致良率水平相对较低。
也就是说，国产DUV光刻机的性能甚至还不如9年前ASML出货的XT:1460K光刻机的水平。如果再往前追溯，2006年ASML推出的干式DUV光刻机XT:1450的分辨率已经达到57nm，套刻精度为7nm。国产DUV光刻机的性能落后ASML的技术18年以上。
65nm光刻分辨率虽然采用多次曝光，可能能够实现更加先进的工艺节点，但会受到套刻精度带来的误差叠加和放大的限制。
据某大光刻机公司内部专家向新智讯透露，65nm分辨率的ArF光刻机，配合良好的OPC（光学邻近校正）算法，可以推进到55nm工艺。
“单次曝光的（套刻精度）控制窗口是线宽的1/4到1/5，所以一颗线宽55nm的芯片至少需要11nm才能制造出来。虽然光刻机的套刻精度≤8nm，但这只是出厂标准，晶圆加工过程中各种工艺也会带来误差，所以整个芯片制造都会低于出厂标准。所以8nm的套刻精度，在产品上可能实际会落在11-12nm上。所以单次曝光能达到的最高水平是55-65nm。”
“如果采用多次曝光，比如双重曝光，那么需要的曝光量就得减半。所以以现有的55nm单次曝光量来说，如果要做双重曝光，至少需要55÷5÷2=5.5nm。如果是四次曝光，又得减半，也就是需要2.75nm。所以8nm是没办法做多重曝光的。”该光刻技术专家进一步向新智讯解释道。
所以，总结一下，如果要做多重曝光，叠加精度需要足够高。换句话说，叠加误差需要足够小。
例如业界最早量产的28nm工艺，基本采用先进的ASML NXT:1970（浸没式DUV），其分辨率较高≤38nm，套刻精度<3.5nm。
由于国内28nm工艺量产比较晚，因此28nm量产采用了更为先进的ASML NXT:1980，虽然其分辨率依然≤38nm，但套刻精度进一步提升至<2.5nm，也使得晶圆厂可以通过该机型进行多次曝光，实现7nm工艺的制造。例如台积电第一代7nm工艺，就是采用ASML NXT:1980进行多次曝光，当然多次曝光会大大增加成本。
这也是为什么美国和荷兰最初将对华光刻机出口限制在NXT:1980型以上，后来又将采用多次曝光实现先进制程能力的光刻机NXT:1970型和NXT:1980型限制出口到拥有先进制程能力的大陆晶圆厂。
综上所述，此次曝光的65nm分辨率国产DUV光刻机应该只是之前90nm分辨率国产光刻机的改进版，只能用于55-65nm成熟工艺芯片的制造需求，远远达不到大家期待的制造28nm工艺芯片的要求。当然，相比之前最先进的90nm分辨率国产光刻机，新款65nm分辨率国产光刻机至少还是取得了一定的进步。不过，我们还是需要清醒地认识到我们与国外先进水平的差距，不能盲目乐观。
对于国内光刻机厂商来说，从干式DUV转向浸没式DUV的过程中，还有不少技术难题需要解决。需要注意的是，在2010年代左右，ASML凭借浸没式DUV光刻机（其在2006年推出了第一台量产的浸没式DUV光刻机XT:1700i）击败了当时两大光刻机巨头佳能和尼康，奠定了霸主地位。
