三驾马车，越来越强？
凭借着遥遥领先的硬件支持，英伟达在AI时代已经是神一般的存在。人工智能芯片公司并不是唯一通过人工智能赚钱的公司。拥有HBM技术的三大存储芯片巨头今年也发财了。
据韩国媒体报道，三星电子通过内部网络宣布，其设备解决方案（DS）部门内存业务部门的员工将获得相当于基本工资200%的下半年绩效奖金。
这笔奖金被称为“目标成就激励”（TAI），将于近期发放，以激励和庆祝半导体部门在公司长期发展中取得的重要成就。
据介绍，内存业务部门业绩奖金大幅增长，主要得益于半导体市场的复苏以及该部门业绩的快速提升。
据统计，三星内存业务部门去年亏损高达10万亿韩元，今年将实现约20万亿韩元的盈余，完成彻底扭亏为盈。正是这一成就使得DS部门获得了有史以来最高的TAI金额。
有趣的是，就在今年上半年，三星电子半导体部门刚刚经历了一场“意外”的人事变动。在存储芯片领域工作多年的全英贤（Jun Young Hyun）接替了前半导体业务负责人Kyung，成为三星电子新任芯片总监。
要说之前DS部门有多惨，前面提到存储器业务部门去年亏损高达10万亿韩元，而代工和系统LSI业务却没有拿到一分钱年终奖金。
面对股东的尖锐质疑，庆贵贤只能不断重复“我们会做得更好”。相比之下，三星电子另一主要业务消费电子产品及其设备体验（DX）部门的高管几乎没有收到任何问题。
当然，系统LSI和晶圆代工业务部门今年的业绩前景仍不明朗，整个部门完全依赖于HBM产品。
全永贤上任后，三星半导体部门一个明显的趋势就是分工，专注于HBM芯片的开发。
此前，三星是三大存储巨头中唯一一家不向英伟达供应HBM芯片的公司。除了自身产品的性能达不到的要求之外，最重要的因素是三星电子未能及时建立HBM研发中心并整合相关研究人员，最终导致其内存策略不断失误，持续亏损。
好消息是 HBM 市场足够大。光是供应HBM3芯片就已经让三星电子收获了AI红利。
美光最新财报提供的数据显示，在消费电子需求下降以及中国供应商开始增加供应的情况下，内存价格在年中达到顶峰后，通用DRAM和NAND Flash的价格均大幅下降。
受益于HBM需求激增，DRAM业务（包括HBM）最终帮助美光填补了衰退周期中的“大坑”。
对于2025年的整体市场情况，美光给出了300亿美元的预期。目前，只有三大存储芯片巨头能够占领这个市场。这也是三星电子能够在存储市场衰退周期中实现复苏的重要原因。
目前，SK海力士、三星、美光都在加速第六代HBM产品（HBM4）的开发，第七代HBM产品HBM4E的开发也已提上日程。
近日，美光分享了HBM4和HBM4E的最新开发状况。其中，HBM4预计将于2026年量产，HBM4E也将于2027年至2028年间上市。除了提供更高的数据传输速度外，HBM4E还将采用可定制的基础芯片。
从研发进度来看，除三大巨头外，明年其他竞争对手都将受到库存调整的影响，一定程度上再次拉大差距。
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本文来自微信公众号“美客网”，作者：jh，36氪经授权发布。
