关于未来内存和存储峰会（和）
前身为主要针对NAND供应商的闪存峰会（Flash ），今年改名为未来内存与存储峰会（ and ），在人工智能技术受到日益关注的背景下，邀请DRAM和存储供应商等更多参与者。
SK Hynix 去年在 FMS 活动上宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将在 AI 领域展示诸多新品，包括 12 层 HBM3E（预计第三季度量产）、321 层高的 NAND（明年上半年开始出货）。IT Home 附上 SK Hynix 将要展示的新品如下：
从左上角开始，顺时针方向：321层NAND闪存、ZUFS 4.0、PCB01
从左上角开始，顺时针方向：HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM 演示
SK海力士HBM工艺集成负责人Unoh Kwon和SSD PMO负责人Kim将在活动开幕式上发表题为“人工智能时代AI内存与存储解决方案的领导力与愿景”的主题演讲。
两位高管将分别介绍公司的DRAM和NAND产品组合，以及针对AI实现优化的AI内存解决方案。
