具体来说，英特尔的GPU将采用台积电的3nm和5nm先进工艺制造，HBM集成也将采用台积电的CoWoS-R工艺。
IT之家注：
CoWoS-R是2.5D封装集成工艺，完全用RDL层取代硅中介层，更具成本效益，结构如下图所示：
▲ 图片来源：台积电官网
报道还指出，英特尔在产品线中规划了至少三个不同档次的芯片，分别针对高、中、低端市场，全力争夺AI加速器订单。
台积电和英特尔均未对市场传言发表评论。
按照英特尔此前的说法，它将成为Ponte数据中心GPU与Gaudi 3加速器的联合继任者，搭载下一代英特尔Xe架构并融合Gaudi架构精髓，计划于2025年发布。
英特尔将在产品线上实行快速迭代策略，第二代产品预计将于2026年推出。
