2024年下半年，存储行业将再次进入下行周期，其后续价格走势引发广泛关注。到 2025 年存储价格将走向何方？会延续下跌趋势还是触底反弹？这一系列问题成为行业内外关注的焦点。
无论是存储行业的从业者、相关产业链的上下游企业，还是跟随技术领域潮流的普通消费者，都在密切关注2025年存储价格的走势。
本文根据目前市场的发展情况以及一些行业专家和机构的意见，预测了2025年存储行业的发展趋势。
01
上半年DRAM市场形势或难以扭转
价格走势分析
我们先来看看DRAM的价格走势。 12月8日数据显示，截至11月底，通用PC DRAM产品平均固定交易价格为1.35美元，较7月的2.1美元下降35.7%。
证券研究员-ak表示：“预计今年年底明年初DRAM价格将大幅下跌，幅度将大于预期。由于中国内存企业低价销售产品，DRAM供应增长将超过需求增长，这种情况将持续到明年第二季度。”
具体到产品上，工艺较为成熟的DDR4及DDR4产品已经开始降价，DDR5、DDR5等先进工艺产品价格目前相对稳定。
对于2025年内存芯片的价格预测，据称2025年DRAM价格将转为下降，上半年下降更为明显。其中，DDR4和DDR5的降价压力将继续大于DDR5和DDR5。
总体而言，两者的观点基本一致，都指向明年上半年DRAM市场可能不会有太多好消息。
减产还是扩产？
纵观存储巨头的产能和资本支出，如今消费电子市场并未如预期复苏，包括三星、SK海力士等存储龙头在内的存储龙头都开始计划减产以应对变化。这包括DRAM产品，但不同类型的存储产品相应有所不同。减产策略也不同。
与价格走势相对应，在DRAM产品领域，市场也呈现出明显的分化趋势：一方面，DDR4等传统DRAM产品的生产比例逐渐萎缩，面临减产压力；另一方面，DDR4等传统DRAM产品的生产比重逐渐萎缩，面临减产压力；另一方面，为人工智能满足存储需求而设计的先进DRAM产品保持了产量的稳定增长。
近日，三星设备解决方案（DS）副总裁 Joon 表示，该公司正在减少通用 DRAM 和 NAND 存储产品的产量，以满足逐渐下降的市场需求。预计三星将减少基于DDR4的产能，并将部分DDR4产能转移至DDR5和HBM等先进产品的生产。
对于SK海力士，业内人士透露，SK海力士将削减DDR4 DRAM芯片产能。今年第三季度，SK海力士的DDR4生产比例已从第二季度的40%下降至30%。第四季度计划进一步削减至20%，并将有限的产能转向人工智能存储产品和先进DRAM产品。 。 SK海力士并未对此消息做出回应。
02
NAND价格回升需等到明年下半年
价格走势分析
从NAND的价格走势来看，根据市场研究机构公布的数据显示，通用NAND的固定价格在自去年10月以来连续五个月上涨后，今年3月份开始企稳，并在9月份转为下降趋势。 9月至11月，NAND价格环比分别下跌11.44%、29.18%和29.8%。 8月份，价格从4.9美元跌至2.16美元。今年以来，通用NAND的价格已经下跌了50%以上，跌至2015年8月以来的最低点。
预计2024年第四季度NAND Flash整体合约价将下跌3-8%。至于明年的价格走势，相信不会太乐观。一方面NAND Flash市场表现不佳，另一方面其盈利能力也不及DRAM。因此，明年部分产品线可能会从NAND Flash转向DRAM。
集邦咨询研究经理敖国锋预计，2024年第四季度闪存价格将同比下降8%，2025年第一季度再下降10%。消费类闪存价格预计下半年将出现反弹。 2025 年。
高端NAND闪存市场的表现好于整体市场平均水平，这在一定程度上可以缓解明年第一季度市场面临的供应过剩压力。在NAND市场，AI驱动的大容量SSD需求成为市场复苏的关键。 2025年，30TB和60TB大容量SSD由于其低能耗和高效存储能力，将迅速取代传统机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术，以提高存储密度并降低成本。
再看产能和投资
目前，主要3D NAND制造商（、、和SK Hynix）正在考虑减少非易失性存储器的产量，并减少扩大额外闪存容量的投资。
三星在最新的财报电话会议中表示，该公司无意减少第四季度的NAND产量，而是会根据市场情况进行灵活调整。据悉，三星电子已逐步开始出售中国西安NAND闪存工厂生产线的旧设备。预计2025年正式开始销售，其中大部分是100层3D NAND设备。
还计划在第四季度减少NAND产量，以避免产能过剩问题。不过，表示，为了应对生成式AI浪潮的需求，将在2025年量产第八代NAND设备，并准备投产最先进的存储产品。
03
HBM，一直很受欢迎
HBM市场呈现的景象与传统DRAM产品完全不同。
随着AI芯片技术的不断迭代升级，单芯片可承载的HBM容量大幅增长，预计2025年HBM出货量将同比增长70%。
预计2025年HBM在DRAM市场的渗透率将逐步提升，预计2025年第四季度HBM渗透率将达到10%左右。HBM3E颗粒预计将占85% 2025年HBM。东兴证券研究报告预计，2025年HBM将贡献DRAM总产量的10%，较2024年翻一番。
作为一种创新的3D堆叠DRAM技术，它通过垂直堆叠多层DRAM芯片并使用高带宽串行接口直接连接到GPU或CPU，提供超越DRAM的带宽和容量。
上述各大存储巨头都在积极扩大高端DRAM的生产，以应对HBM和DDR5 DRAM的需求。
此外，从HBM产品类型的发展趋势来看，未来HBM市场也将发生重大变化。例如，由于的新产品将从GPU开始逐步转向12层HBM3e，因此明年HBM3e将取代HBM3成为主流产品。由于HBM3e的平均售价（ASP）约为传统DRAM产品的3-5倍，随着HBM3e产能不断扩大，营收贡献将逐季增加。
到2025年，HBM3e可能仍面临供应紧张。
生产能力及投资
SK海力士和美光均表示2024年HBM产能已全部售完，2025年产能基本分配完毕； SK海力士还表示，订单能见度可达2026年第一季度。从2024年第二季度开始，不少存储厂商开始将DDR4产能切换至HBM，以应对互联网巨头迫切的订单需求。
目前，三星正在逐步升级其位于韩国平泽的工厂（P1L、P2L和P3L），生产DDR5和HBM。同时，华城工厂（13/15/17生产线）正在升级至1α工艺，仅保留一小部分1y/1z工艺产能，以满足航空航天等特殊行业的需求。
SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并开始将M14生产线升级为1α/1β工艺，以供应DDR5和HBM产品。此外，无锡工厂目前正在积极将工艺从1y/1z升级至1z/1α，分别用于生产DDR4和DDR5产品。
美光的HBM前端在日本广岛工厂生产，预计2024年第四季度产能将增至25,000片；远期将引进EUV工艺（1γ、1δ），并新建洁净室。
在SK海力士、三星和美光三大巨头的强力推动下，HBM的芯片总产能将在2025年达到每月54万片，比2024年增加27.6万片，同比增长105%。
04
存储行业正处于十字路口
虽然存储行业从2024年第四季度开始再次进入衰退周期，但纵观整个2024年的整体情况，存储市场的表现相比其他赛道仍然相当强劲。
世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据显示，2024年半导体市场将强劲增长19%。不过，值得注意的是，这种增长势头仅集中在少数产品线。其中，存储市场预计2024年增长81%，逻辑芯片预计增长16.9%。相比之下，微型产品线的增长则相对平缓，仅为3.9%左右，而分立器件、光电器件、传感器和模拟器件都将出现下滑。如果排除存储器市场，WSTS预测其余半导体市场2024年的增长率仅为5.8%。
毫不夸张地说，2024年的半导体产业将得到存储市场的支撑。
2024年存储器的强劲表现也体现在半导体公司的营收上。与上年同期相比，2024年前三季度，三星存储和SK海力士营收分别增长109%，美光科技增长78%，铠侠增长54%。
内存市场能够实现如此强劲的增长，主要得益于AI应用领域内存需求的持续增长。 2024年，内存价格将呈现上涨趋势，尤其是DRAM产品。
众所周知，内存市场长期以来都是半导体行业周期性波动的重要加剧因素。
下图是根据WSTS数据绘制的图表，显示了截至2023年半导体市场的年度变化，以及WSTS对2024年的预测。
该图表提供了半导体总销量、存储器市场以及不包括存储器的半导体市场的比较分析。可以明显看出，内存市场出现了极其剧烈的波动。曾出现过增长102%、下降49%等极端情况。与此形成鲜明对比的是，不包括内存的市场则表现相对稳定，波动范围从增长42%到下降26%不等。
可以看到，近十年来，内存市场发生了巨大的变化，从2024年的增长81%，到2023年的下降33%。另一方面，不包括内存的市场出现了一系列的变化：只有25%。波动幅度为2%。
在过去的四十年中，每当内存市场增长超过 50% 时，第二年的增长就会放缓或显着下降。这种情况在 2024 年之前已经发生过六次，其中四次内存市场在第二年出现下滑。另外两次，虽然市场在第二年保持正增长，但增速明显放缓，达到顶峰后第二年出现下滑。这些趋势是由大宗商品的基本供需驱动的。当供应超过需求时，内存价格和产量就会上涨。当供给超过需求时，产量和价格就会下降。
因此，该机构预计内存市场将在2025年或2026年大幅下滑。
05
行业领军人物，您怎么看？
存储龙头的走势也反映出明年存储行业的发展趋势夹杂着诸多负面情绪。
近日，三星电子和SK海力士相继调整了2024年第四季度的盈利预测。这一事态发展是继美光科技发布悲观业绩展望之后，共同揭示了整个存储芯片市场的疲软现状。
具体来说，三星电子宣布，将本季度营业利润预期从原来的9.77万亿韩元下调至8.58万亿韩元，减少幅度超过1万亿韩元。此次调整主要归因于智能手机、个人电脑等传统IT产品的市场需求持续萎缩，进而影响其核心DRAM业务的盈利能力。
与此同时，SK海力士也更新了业绩预测。尽管实现了10.59%的环比增长，但第四季度营业利润预计将达到77,742亿韩元，与此前预测的81,117亿韩元相比仍下降4.16%。 %，显示市场预期小幅下调。
此前，虽然美光科技公布的2025财年第一财季财报尚可，但其第二财季业绩展望却远低于市场预期。这一消息直接导致公司股价在盘后交易中大幅上涨。跌倒了。如今，三星电子和SK海力士的业绩调整似乎进一步印证了美光对于市场前景的悲观判断。
据业内分析师分析，美光科技2月份季度的前景也不容乐观，传统DRAM和NAND的平均售价预计将在2025年第一季度继续下滑。这一预测无疑给2025年第一季度蒙上了一层阴影。整个DRAM产业的前景。
综合以上信息可以看出，当前存储芯片市场面临着严峻的挑战。未来，如何应对这个市场寒冬将成为半导体行业巨头们亟待解决的问题。
