它们是荷兰的ASML，日本的佳能和尼康，以及中国的上海微电子。
我们的技术是荷兰ASML已经到了2nm阶段，也就是EUV光刻机，而且是High NA EUV，是第二代产品，NA=0.55，可以制造2nm芯片。
日本尼康已经开发出浸没式光刻机，也称为ArFi，可实现7nm工艺。
佳能就差一点，只有ArF，而且号称只是90nm级别，上海微电子也号称是90nm级别，也就是ArF的水平。
从市场来看，ASML、佳能、尼康三家垄断了全球几乎100%的前端光刻机市场份额，上海微电子在前端光刻机领域的份额微不足道，主要集中在后端封装领域。
也正是因为如此，中国一直在从国外进口大量光刻机，尤其是2023年、2024年，随着禁令不断收紧，中国正在大规模扩产、建设新的芯片产能，因此进口量不断增加。
因此很多人认为国产光刻机必须要有所突破，单单90nm肯定不够，别说达到EUV水平，哪怕和尼康一个水平，能做到浸没式DUV，制造7nm芯片就完美了。
因为理论上，通过浸没式DUV经过多次曝光后是有可能达到5nm的。
那么问题来了，国产光刻机什么时候才能进入浸没式模式呢?当然我不会告诉你这个消息，但是在我看来，应该已经到了临界点，即将突破了。
为什么这么说呢？其实光刻机的原理并不复杂，光源穿过光罩，通过透镜将光罩收缩，最后光线落在涂满光刻胶的基片上，最终完成底片的刻印。
核心由三部分组成：光源系统、物镜系统、双工作台，其他的当然也很重要，但是都不是最关键的核心。
在光源方面，非浸没式DUV与浸没式DUV是一样的，都采用193nm的波长，这个波长我们早就掌握了。
至于工作台，其实可以和非浸没式DUV光刻机一样，我国华中精密科技有双工作台，其精度满足浸没式DUV光刻机使用要求，所以没有问题。
难点在于物镜系统，相比非浸没式，浸没式DUV光刻机会在硅片前方增加一层水，需要物镜系统的配合。
物镜系统是蔡司和ASML合作研发的，不卖给中国，中国要自己研发，这也是最关键、最困难的一步。
不过有媒体报道称，我们这几年一直在研究这个问题，只要攻克这个难题，浸没式光刻机就会面世，长春光电所、长春国科精密、国望光电、中普科学仪器等都在研发，或许很快就能取得突破。
可见，国产浸没式DUV光刻机真的只差这最后一步了，已经到了临界点，突破或许就在眼前，您觉得呢？
