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台积电仍是EUV设备的最大买家。

台积电2nm先进制程产能将于2025年量产，设备商出货如火如荼，尤其是先进制程所采用的EUV（极紫外光刻机），未来两年将有超过60台EUV出货，总投资金额预估将超过新台币4,000亿元。随着产能不断扩大，ASML 2025年出货量将成长逾三成，台厂供应链将受惠。其中，晶圆厂积极携手ASML，投入下一代High-NA EUV研发，此外，帆宣、艾特克斯、共准、晶鼎、祥明等也有望同步受惠。

设备商透露，EUV设备供货吃紧，交期为16至20个月，因此2024年的订单大多将在后年交割。法人预估，台积电今年EUV订单将达30台，明年将达35台，但受资本支出影响略有调整。除了研发中心外，明年、后年暂无High-NA EUV设备量产计划。

ASML去年因应客户需求规划新增产能，明年交付数量预计大幅增长，今年总交付量预计达53台，明年则有望达72台以上。

供应链指出，ASML 2025年的产能规划，目标仍是90台EUV、600台DUV、20台High-NA EUV，没有改变，2024年日产将在今年11月14日召开，并提出未来五年最新蓝图。

台积电先进制程产能正逐步开放，例如3nm台南厂将于第三季进入量产，明年P8厂也将逐步导入EUV设备，新竹宝山2nm继三年后EUV需求动能强劲，高雄2nm也同步进行中。

供应链还透露，台积电美国P1A项目追加资金预计第三季到账，厂房正进入最后建设阶段。加上台积电在岛内外都有其他建厂需求，如新竹宝山、日本熊本、高雄楠梓及封测厂，以及CSP资料中心建设需求，因此设备需求不暗淡。

更多的EUV设备将带动EUV光罩盒使用量同步增长，分析师认为JAT将是受惠最多的厂商，FOUP（Front Pod）持续抢占市场份额，相较于竞争对手，JAT自建热风排气环境，去除塑料颗粒或污染颗粒，直接送至客户工厂使用，同时JAT也投入合作研发ASML High-NA EUV。

ASML推出首台2nm低数值孔径EUV设备NXE:3800E

热心读者往往关注采用尖端工艺技术制造的微芯片，对于英特尔来说，这意味着未来几年将使用高数值孔径极紫外光刻技术。然而，未来几年我们将使用的绝大多数芯片将使用低数值孔径 (Low-NA) EUV 光刻设备制造。这就是为什么 ASML 的最新公告特别值得关注的原因。

据了解，ASML于今年3月交付了首台升级版NXE:3800E光刻机用于工厂安装。NXE:3800E是该公司0.33数值孔径(Low-NA)光刻扫描仪系列的最新版本，旨在制造2nm和3nm工艺芯片。

ASML 尚未公布该设备的全部功能细节，但该公司之前的路线图显示，升级后的 3800E 将提供更高的晶圆吞吐量和更好的晶圆对准精度，ASML 称之为“匹配机器覆盖率”。根据这份路线图，ASML 预计其第五代低 NA EUV 扫描仪每小时可处理 200 片晶圆，这将标志着该技术的一个重要里程碑，因为 EUV 光刻的缺点之一是其吞吐量低于当今经过充分研究和调整的深紫外 (DUV) 光刻设备。

对于 ASML 的逻辑和内存芯片工厂客户（目前总共只有大约六家公司），升级后的扫描仪将帮助这些工厂继续改进和扩大其尖端芯片的生产。即使大型工厂通过增加设施来扩大运营规模，增加现有设施的产量仍然是满足产能需求和降低（或至少控制）生产成本的重要因素。

由于 EUV 扫描仪并不便宜——一台典型的扫描仪售价约为 1.8 亿美元，而 NXE:3800E 的价格可能更高——这些设备成本需要时间才能完全摊销。与此同时，更快地推出新一代 EUV 扫描仪将对 ASML 产生重大的财务影响，ASML 已经享有这一关键设备唯一供应商的地位。

继 3800E 之后，ASML 还有至少一代低 NA EUV 扫描仪正在开发中，包括 NXE:4000F，预计将于 2026 年左右发布。